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0512-66388216
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苏州柏达电子有限公司
AEC-Q100 认证
ISO 26262 ASIL B 认证
宽工作电压范围:3V 到40V
可编程参数:
- 单极或者全极
- 微功耗模式
- 灵敏度范围:-22mT 到22mT
- 感应极性:南极或北极
输出特性:正向或反向
微功耗模式下平均电流:20μA
开漏输出
内置 CRC 校验保护
电源反接保护:-28V
过温保护
宽工作温度范围:-40℃到150℃
抗干扰和静电能力强
封装形式:
- TO-92S (UA)
- SOT23-3L(SO)
汽车和工业领域；换挡器位置开关；汽车门锁状态检测；座椅位置检测；天窗/尾门开关；刹车灯开关；限位检测
SC245X高压微功耗霍尔包含多个子型号产品可选，类型有全极低工耗，全极常规，单极低功耗，单极常规，以及在线可编程供选择。
SC245X 采用BCD 工艺制造,是一款可编程微功耗模式汽车级霍尔效应传感器。它依照ISO 26262 标准研发,达到了ASIL B 功能安全等级。可编程性是 SC245X 的一个关键特性。客户可以选择预编程单元,或者在生产线末端进行编程,以在-22mT 至 22mT 的范围内实现系统优化。
SC245X 专为汽车应用需求设计,符合 AEC-Q100 标准,支持3V 到40V 的宽工作电压范围,并具备 -28V 的反向保护和过温保护功能,同时芯片具有抗电磁干扰(EMC)能力强和可靠性高的特点,非常适合应用汽车领域。
SC245X 采用动态失调消除以及温度补偿技术,减小了由于工艺变化,封装和温度应力造成的失调,具有稳定的灵敏度。
SC245X 提供3 脚直插TO-92S 封装(UA)和3 脚贴片SOT23-3L(SO)封装,100%无铅亚光镀锡引线封装。
| 引脚名称 | UA | SO | 类型 | 描述 |
|---|---|---|---|---|
| VDD | 1 | 1 | 电源 | 工作电压3 V 到 40V |
| GND | 2 | 3 | 地 | 接地 |
| OUT | 3 | 2 | 输出 | 开漏输出,使用时需要连接上拉电阻 |
SC245X高压微功耗霍尔包含多个子型号产品可选，如下面产品代码：
| 产品代码 | 丝印 | 电流 (mA) | 工作点 (mT) | 释放点 (mT) | 输出特性 | 封装外形 | 包装方式 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC2450SO-TR-Q* | 2450 | 3.3 | 2.5 | 1.5 | 正向 | SOT23-3L | 编带 | 3000/盘 |
| SC2450SO-LI-TR-Q | 2450 | 0.020 | 2.5 | 1.5 | 反向 | SOT23-3L | 编带 | 3000/盘 |
| SC2450UA-LI-BK-Q | 2450 | 0.020 | 2.5 | 1.5 | 反向 | TO-92S | 散包 | 1000/袋 |
| SC2450SO-M-TR-Q* | 2450 | 3.3 | ±2.5 | ±1.5 | 正向 | SOT23-3L | 编带 | 3000/盘 |
| SC2450UA-M-BK-Q | 2450 | 3.3 | ±2.5 | ±1.5 | 正向 | TO-92S | 散包 | 1000/袋 |
| SC2450SO-ML-TR-Q* | 2450 | 0.020 | ±2.5 | ±1.5 | 反向 | SOT23-3L | 编带 | 3000/盘 |
| SC2450UA-ML-BK-Q | 2450 | 0.020 | ±2.5 | ±1.5 | 反向 | TO-92S | 散包 | 1000/袋 |
| SC2450SO-MLI-TR-Q | 2450 | 0.020 | ±2.5 | ±1.5 | 反向 | SOT23-3L | 编带 | 3000/盘 |
| SC2450UA-MLI-BK-Q | 2450 | 0.020 | ±2.5 | ±1.5 | 反向 | TO-92S | 散包 | 1000/袋 |
| SC2451SO-TR-Q | 2451 | 3.3 | 10.0 | 8.5 | 正向 | SOT23-3L | 编带 | 3000/盘 |
| SC2452SO-TR-Q | 2452 | 3.3 | 18.0 | 13.0 | 正向 | SOT23-3L | 编带 | 3000/盘 |
| SC2455SO-TR-Q | 2455 | 3.3 | 22.0 | 17.0 | 正向 | SOT23-3L | 编带 | 3000/盘 |
| SC2459SO-TR-Q* | 2459 | PROG | PROG | PROG | PROG | SOT23-3L | 编带 | 3000/盘 |
| SC2459UA-BK-Q* | 2459 | PROG | PROG | PROG | PROG | TO-92S | 散包 | 1000/袋 |
备注: *为我公司主推的产品型号
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 电源端耐压 | -28 | 60 | V | |
| VOUT | 输出端耐压 | -0.5 | 60 | V | |
| ISINK | 输出灌电流 | 0 | 40 | mA | |
| TA | 工作温度 | -40 | 150 | ℃ | |
| TJ | 最大结温 | -55 | 165 | ℃ | |
| TSTG | 储藏温度 | -65 | 175 | ℃ |
备注: (1)高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏,长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VESD_HBM | HBM | 人体模型 (HBM) 测试按照 AEC-Q100-002 标准 | -8+8 | kV | |
| VESD_CDM | CDM | 充电器件模型 (CDM) 测试按照 AEC-Q100-011 标准 | -750 | +750 | V |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| RΘja | UA 封装热阻 | 单层 PCB , JEDEC 2s2p 和 1s0p 分别在 JESD 51-7 和 JESD 51-3 中定义 | 200 (1) | ℃/W |
| RΘja | SO 封装热阻 | 单层 PCB , JEDEC 2s2p 和 1s0p 分别在 JESD 51-7 和 JESD 51-3 中定义 | 300 (1) | ℃/W |
备注: (1)最大工作电压必须满足功耗和结温的要求
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 (1) | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 工作电压 (2) | TJ < TJ(Max.) | 3.0 | 5.0 | 40 | V |
| UVLO H | 高欠压保护 | B>BOP , VDD Rising From 2V | - | 2.8 | - | V |
| UVLO L | 低欠压保护 | B>BOP , VDD Decreasing From 3V | - | 1.9 | - | V |
| UVLO HYS | 欠压保护迟滞 | UVLO H - UVLO L | - | 900 | - | mV |
| IDD | 工作电流(正常功耗模式) | VDD =3 to 40 V, TA =25 ℃ | 2.8 | 3.3 | 3.8 | mA |
| IDD ( Micro Power ) | 平均工作电流(微功耗模式) | VDD =3.0 to 40V, TA =25 ℃ | - | 15 | 30 | µA |
| VDD =3.0 to 40V, TA =150 ℃ | - | 30 | 50 | µA | ||
| ton | 上电时间 | VDD >5V | - | 170 | 300 | µs |
| td | 输出延迟时间 | B=BRP to BOP | - | 15 | 25 | µs |
| T UPD | 输出更新周期(正常功耗模式) | - | 40 | 45 | µs | |
| t ACTIVE | 有效工作时间(微功耗模式) | - | 100 | 200 | µs | |
| T OP | 工作周期(微功耗模式) | - | 50 | - | ms | |
| Tr | 输出上升时间 (10% to 90%) | R1=1Kohm, Co=50pF | - | 0.3 | 1 | µs |
| Tf | 输出下降时间 (90% to 10%) | R1=1Kohm, Co=50pF | - | 0.2 | 1 | µs |
| OTP | 过温保护 | Temperature increasing | - | 187 | - | ℃ |
| OTP HYS | 过温保护迟滞 | - | 12 | - | ℃ | |
| I OLKG | 输出漏电流 | - | 0.1 | 10 | µA | |
| IO | 输出电流(正常功耗模式) | - | 40 | 65 | mA | |
| VOL | 输出低电平电压 | Normal Power Mode, IO =20mA | - | 0.13 | 0.4 | V |
| Micro Power Mode, IO =10mA | - | 0.15 | 0.5 | V |
备注: (1)典型值是环境温度25°C, VDD=5.0V 条件下的测试值 (2)工作电压必须调整最大电压的功耗和结温,见热特性
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SC2450 ±2.5 /±1.5mT | ||||||
| BOP | 输出开启点 | TA=25℃ | ±1.5 | ±2.5 | ±3.5 | mT |
| BRP | 输出释放点 | ±1.0 | ±1.5 | ±3.0 | mT | |
| BHYS | 输出迟滞 | ±0.5 | ±1.0 | ±1.5 | mT | |
| SC2451 ±10.0/±8.5mT | ||||||
| BOP | 输出开启点 | ±8.0 | ±10.0 | ±12.0 | mT | |
| BRP | 输出释放点 | TA=25℃ | ±6.5 | ±8.5 | ±10.5 | mT |
| BHYS | 输出迟滞 | ±0.5 | ±1.5 | ±2.5 | mT | |
| SC2452 ±18.0/±13.0mT | ||||||
| BOP | 输出开启点 | TA=25℃ | ±16.0 | ±18.0 | ±20.0 | mT |
| BRP | 输出释放点 | ±11.0 | ±13.0 | ±15.0 | mT | |
| BHYS | 输出迟滞 | ±3.0 | ±5.0 | ±7.0 | mT | |
| SC2455 ±22.0/±17.0mT | ||||||
| BOP | 输出开启点 | TA=25℃ | ±19.0 | ±22.0 | ±25.0 | mT |
| BRP | 输出释放点 | ±14.0 | ±17.0 | ±20.0 | mT | |
| BHYS | 输出迟滞 | ±3.0 | ±5.0 | ±7.0 | mT | |
| SC2459 可编程灵敏度 | ||||||
| BOP | 输出开启点 | TA=25℃ | -22.0 | - | 22.0 | mT |
| BHYS | 输出迟滞 | 0.5 | - | 10.0 | mT | |
| BOP(STEP) | 平均磁步长 | 0.3 | 0.5 | 0.7 | mT | |
| BHYS(STEP) | 平均滞后步长 | 0.3 | 0.5 | 0.7 | mT | |
| BOP(INT) | 初始工作点 | 6.0 | 8.2 | 10.0 | mT | |
| BHYS(INT) | 初始滞后 | 1.0 | 2.0 | 3.5 | mT | |
备注: (1)磁感应强度B,北极磁场为负值,南极性磁性为正值 (2) 1 mT=10 Gs
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BOPSEL | 操作点编程幅值 | - | 6 | - | BIT | |
| HYSSEL | 滞后编程幅值 | - | 6 | - | BIT | |
| MAG_POL | 磁极选择 | The default value is 0. | - | 1 | - | BIT |
| OMNI | 单极/全极/锁存模式选择 | The default value is 0. | - | 1 | - | BIT |
| LTH | 单极/全极/锁存模式选择 | The default value is 0. | - | 1 | - | BIT |
| OUT_POL | 初始输出状态选择 | The default value is 0. | - | 1 | - | BIT |
| LPSEL | 微功耗模式选择 | The default value is 1. | - | 1 | - | BIT |
SC245X 器件是一款具有数字输出的磁传感器,当磁通量密度超过阈值时会发出指示。SC245X 可在生产线末端进行编程,以便基于单个单元或单个模块对传感器进行优化。可根据需求编成微功耗模式,而且用户还可以在-22mT 至22mT 的范围内选择磁工作点,在0.5mT 至10mT 的范围内选择磁滞幅度,还可以选择器件是响应北极磁场或南极磁场(单极开关),还是同时响应两者(全极开关),以及输出极性(正向或反向)。
当垂直于霍尔元件的磁场(南极或北极极性)超过工作点阈值BOP 时,SC245X 的输出变为低电平(开启)。开启后,输出能够吸收40mA 的电流,输出电压为VQ(饱和电压)。当磁场减小到释放点BRP 以下时,器件输出变为高电平(关闭)。磁工作点和释放点之间的差值是该器件的磁滞 BHYS 这种内置的磁滞特性即使在存在外部机械振动和电噪声的情况下,也能使输出实现平稳切换。
磁场S 极正对芯片丝印面定义为正磁场。
全极型的磁性特性是指该器件对北极和南极都有反应。其目的是检测施加在该器件上的任何磁场的存在。
单极型的磁性特性是该器件仅对北极或南极磁场做出反应。
SC245X 内置片上稳压器,可降低电源输出中的纹波和噪声。在使用非稳压电源为该器件供电的应用中,必须在外部添加瞬态保护。对于使用稳压线路的应用,可能仍需要磁干扰/射干扰(EMI/RF)保护。建议将 C1 电容器并联连接到地,且靠近芯片的V电源端,其典型值为0.1uF。R1 建议使用100的限流电阻,采用大于0805封装的表面贴装器件(SMD)。RL 应根据实际应用需求选择合适的上拉电阻。CL 是可选的输出电容器,用于提高系统的电磁兼容性(EMC)能力。
| 封装类型 | 数量 | 直径(mm) | W1(mm) | P0(mm) | P1(mm) | P2(mm) | A0(mm) | B0(mm) | K0(mm) | W(mm) | Pin1 Quadrant |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SOT-23-3L | 3000 | 180 | 8.4 | 4.00 | 2.00 | 4.00 | 3.18 | 3.28 | 1.32 | 8.00 | Q3 |
| SOT-23-3L | 3000 颗 *10 盘 | 210mm | 210mm |
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