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苏州柏达电子有限公司
SC2002 是采用CMOS 工艺制造的斩波稳定锁存型 霍尔开关IC,具有高灵敏、高温度稳定性的特点。
SC2002 专为极致小巧、对功耗敏感的电池供电系统设计,支持1.8V 到5.5V 的宽工作电压范围。而且S5 封装还有EN 使能引脚模式,连接到电源是正常功耗模式输出,连接到地是微功耗模式输出。可以在-40℃到125℃范围内工作,非常适合消费电子和家电应用领域。
SC2002 通过动态偏移消除,可以实现卓越的高温稳定性能,降低了由于器件过度成型、温度依赖性和热应力引起的残余偏移电压。每个芯片在单个硅芯片上包括一个稳压器,霍尔电压发生器,小信号放大器,施密特触发器。
SC2002 提供3 脚贴片SOT23-3L 封装(SO)和5 脚贴片SOT23-5L 封装(S5),100% 无铅亚光镀锡引线封装。
| 引脚名称 | SO | S5 | 类型 | 描述 |
|---|---|---|---|---|
| VDD | 1 | 5 | 电源 | 1.8V 到 5.5V 电源电压 |
| GND | 3 | 2 | 地 | 接地 |
| OUT | 2 | 4 | 输出 | 漏极开路输出,使用时需外接上拉电阻 |
| EN | - | 1 | 输入 | 连接到 VDD 正常功耗模式,连接到 GND 微功耗模式 |
| NC | - | 3 | 空脚 | 开路或连接到地 |
备注: (1)S5 封装的EN 引脚必须要选择外接到电源或者地,否则会没有功能。
| 产品代码 | 功耗模式 | 丝印 | 工作点(mT) | 释放点(mT) | 工作温度(℃) | 封装外形 | 包装方式 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC2002SO-TR | 正常功耗 | 2002 | 2.0 | -2.0 | -40~125 | SOT23-3L | 编带 | 3000 颗 / 盘 |
| SC2002SO-L-TR | 微功耗 | 2002 | 2.0 | -2.0 | -40~125 | SOT23-3L | 编带 | 3000 颗 / 盘 |
| SC2002S5-TR | 可选 | 2002 | 2.0 | -2.0 | -40~125 | SOT23-5L | 编带 | 3000 颗 / 盘 |
订购信息格式说明
产品代码:SC2002SO-L-TR
包装方式:TR:编带;BK:散包
功耗模式:缺省:正常功耗;L:微功耗
封装外形:SO:SOT23-3L;S5:SOT23-5L
器件系列:SC2002:带微功耗模式的锁存型霍尔开关IC
全工作温度范围 (除非另有说明)(1)
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 电源端耐压 | - | -0.5 | 6.5 | V |
| VOUT | 输出端耐压 | 1.2kΩ 上拉电阻不超过5 分钟 | -0.5 | 6.5 | V |
| TA | 工作温度 | - | -40 | 125 | ℃ |
| TJ | 最大结温 | - | -40 | 150 | ℃ |
| TSTG | 储藏温度 | - | -55 | 165 | ℃ |
备注: (1)高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏,长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VESD_HBM | HBM | 人体模型(HBM)测试按照AEC-Q100-002 标准 | -2 | +2 | kV |
| VESD_CDM | CDM | 充电器件模型(CDM) 测试按照AEC-Q100-011 标准 | -750 | +750 | V |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| RΘja | SO 封装热阻 | 单层PCB,JEDEC 2s2p 和1s0p 分别在JESD 51-7 和JESD 51-3 中定义 | 300(1) | ℃/W |
| RΘja | S5 封装热阻 | 单层PCB,JEDEC 2s2p 和1s0p 分别在JESD 51-7 和JESD 51-3 中定义 | 300(1) | ℃/W |
备注: (1)最大工作电压必须满足功耗和结温的要求,参照热特性
工作温度范围内, VDD=3.3 V 除非另有说明)
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值(1) | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 工作电压(2) | TJ < TJ(Max.) | 1.8 | 3.3 | 5.5 | V |
| IDD | 正常功耗模式工作电流 | VDD ≥ 3.3V, TA=25 ℃ | 1.0 | 1.2 | 2.5 | mA |
| IDDLP | 微功耗模式平均电流 | VDD ≥ 3.3V, TA=25 ℃ | - | 20 | 50 | µA |
| IQL | 漏电流 | Output Hi-Z | - | - | 3 | µA |
| UVLO H | 高欠压保护 | B>BOP +2.0mT, VDD Rising From 1.0V | 1.5 | 1.6 | 1.7 | V |
| UVLO L | 低欠压保护 | B>BOP +2.0mT, VDD Decreasing From 1.8V | 1.2 | 1.3 | 1.5 | V |
| UVLO HYS | 欠压保护迟滞 | UVLO H - UVLO L | 0.2 | 0.3 | 0.5 | V |
| tS µP | 微功耗模式采样周期 | TA=25 ℃ | - | 2 | 5 | ms |
| fS µP | 微功耗模式采样频率 | TA=25 ℃ | - | 500 | - | Hz |
| fS | 正常功耗采样频率 | TA=25 ℃ | - | 20 | - | kHz |
| ton | 上电时间 | VDD ≥ 3.3V, TA=25 ℃ | - | 30 | 50 | µs |
| tr | 输出上升时间(10% to 90%) | VPU=3.3V , RPU(3)=1Kohm CL=50pF | - | 0.2 | 1 | µs |
| tf | 输出下降时间(90% to 10%) | VPU(3)=3.3V, RPU=1Kohm CL=50pF | - | 0.2 | 1 | µs |
备注: (1)典型值为在 TA=25℃,VDD=3.3V 条件下的测试值 (2)最大工作电压必须满足功耗和热阻的要求 (3)Rpu 和 VPU 是外部上拉电阻和外部上拉电压
工作温度范围内, VDD=3.3 V 除非另有说明)
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值(1) | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BOP | 磁场开启点 | - | 0.5 | 2.0 | 3.5 | mT |
| BRP | 磁场释放点 | TA=25 ℃ | -3.5 | -2.0 | -0.5 | mT |
| BHYS | 迟滞 | - | 1.0 | 4.0 | 7.0 | mT |
备注: (1)磁感应强度B,北极性磁场为负值,南极性磁场为正值 (2) 1 mT=10 Gs
VDD → Voltage Regulator → Ultra-low-power Oscillator → Time Counter → MODE → Output Control → OUT;包含Hall Element、Bias、Offset Cancellation、Temperature Compensation、AMP、REF、GND 模块(图片略)
SC2002 芯片是一款应用于磁场感应的具有斩波频率稳定的锁存输出型霍尔传感器。该器件可在 1.8V 到5.5V 的供电电压下工作,而且还有带使能引脚封装,可以选择连接到电源正常功耗模式输出,连接到地微功耗模式输出。
当垂直作用于霍尔元件的磁场强度的绝对值超过工作点(BOP)阈值时,SC2002 输出低电平(开启),当磁场强度降低超过释放点(BRP)的绝对值时,器件输出高电平(关断)。磁场工作点和释放点的差异即为器件的磁滞(BHYS),这种内部的迟滞使器件可以免受外部机械振动和电气噪声的干扰。
磁场S 极正对芯片丝印面定义为正磁场。
|B|>|BOP|, OUT=Low |B|<|BRP|, OUT=High
在磁场强度小于 BOP 且大于 BRP 的迟滞区上电时,允许不确定的输出状态。
在第一次超出 BOP 或 BRP 之后,就可以达到正确的状态。如果电场强度大于BOP,则输出被拉低。如果电场强度小于 BRP ,输出被释放。
BOP -开启器件输出的磁场强度,开启(低电平)状态。
BRP -释放器件输出的磁场强度,关断(高电平)状态。
BHYS=BOP-BRP
SO封装:VDD 接 0.1uF 电容 C1 到 GND,OUT 外接 1K~10K 上拉电阻,串联 100Ω 电阻 R1,输出可选 1nF 滤波电容 CL。
S5封装:EN 引脚接 VDD 为正常模式,接 GND 为微功耗模式,其余与 SO 封装一致。
SC2002 内置片上稳压器,可降低电源输出中的纹波与噪声。当器件工作于非稳压电源供电的应用时,必须在外部添加瞬态保护电路。对于使用稳压电源线路供电的应用,仍然推荐设计EMI/RFI 保护。建议靠近芯片 VDD 电源端并联 C1 电容到地,其典型值为 0.1μF。同时在外部可选配串联电阻 R1 其典型值为 100Ω。输出电容 CL 用作输出滤波,典型值为 1nF。在使用S5 封装的器件时,EN 使能引脚必须要选择连接到电源或者地,连接到电源正常功耗模式输出,连接到地微功耗模式输出,否则会导致器件工作异常。
SOT23-3L 封装外形图,单位:毫米
尺寸:2.92、0.81、1.62、0.70、0.60、1.25Max、0.10、0.00、1.46、3.02、2.82、0.50、0.30、0.60、0.30、1.52、1.72、2.95、2.65、0.95BSC、0.20、0.10、2.00、1.80
备注: (1)所有尺寸单位:毫米 (2)塑封体的尺寸不包含包封溢胶、凸起部分和注胶口毛刺 (3)允许切完中筋后有残留凸出 若未指定公差,则尺寸为理论基准值,不代表实际测量的精确尺寸
SOT23-5L封装外形图,单位:毫米
尺寸:2.77、1.3、0.84、1.2、0.61、0.55、1.65、0.10、0.02、1.38、2.87、2.67、1.95、1.85、0.50、0.40、1.80、1.50、1.60、1.56、3.00、2.60、0.975、0.925、0.160、0.144
备注: (1)所有尺寸单位:毫米 (2)塑封体的尺寸不包含包封溢胶、凸起部分和注胶口毛刺 (3)允许切完中筋后有残留凸出 若未指定公差,则尺寸为理论基准值,不代表实际测量的精确尺寸
| 封装类型 | 数量 | 卷盘直径(mm) | W1(mm) | P0(mm) | P1(mm) | P2(mm) | A0(mm) | B0(mm) | K0(mm) | W(mm) | Pin1 Quadrant |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SOT-23-3L | 3000 | 180 | 8.4 | 4.00 | 2.00 | 4.00 | 3.18 | 3.28 | 1.32 | 8.00 | Q3 |
| SOT-23-5L | 3000 | 180 | 8.4 | 4.00 | 4.00 | 2.00 | 3.20 | 3.85 | 1.35 | 12.00 | Q3 |
所有尺寸均为标称尺寸
| 封装类型 | 数量 | 长(mm) | 宽(mm) | 高(mm) |
|---|---|---|---|---|
| SOT-23-3L | 3000颗*10盘 | 210 | 210 | 210 |
| SOT-23-5L | 3000颗*10盘 | 210 | 210 | 210 |
| 版本号 | 日期 | 修改说明 |
|---|---|---|
| Rev.E0.1 | 2025-02-16 | 初始版本 |
| Rev.A1.0 | 2026-03-17 | 正式版本发布 |
电话:0512-66388216
地址:江苏省苏州市吴中区木渎镇刘庄路6号
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